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参数资料
| 型号： | IRHN4150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET表面贴装系统（SMD - 1） |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | IRHN4150 |
www.irf.com
11
Pre-Irradiation
IRHN7150, JANSR2N7268U
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 30b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 30a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 29c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 29b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 29a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRHN7150 | Female Disconnect Solderless Terminal; Wire Size (AWG):12-10; Tab Width:0.250"; Insulator Color:Yellow; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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