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参数资料
| 型号： | IRHN4150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET表面贴装系统（SMD - 1） |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | IRHN4150 |
8
www.irf.com
IRHN7150, JANSR2N7268U
Pre-Irradiation
Fig 21.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 19.
Typical Output Characteristics
Fig 18.
Typical Output Characteristics
Fig 20.
Typical Transfer Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN7150 | Female Disconnect Solderless Terminal; Wire Size (AWG):12-10; Tab Width:0.250"; Insulator Color:Yellow; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| IRHN7450 | HEXFET TRANSISTOR |
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| IRHNA7160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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