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参数资料
| 型号： | IRHN4150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET表面贴装系统（SMD - 1） |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | IRHN4150 |
4
www.irf.com
IRHN7150, JANSR2N7268U
Pre-Irradiation
Fig 2.
Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 1.
Typical Response of Gate Threshhold
Voltage Vs. Total Dose Exposure
Fig 3.
Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 4.
Typical Response of Drain to Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure
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PDF描述 |
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| IRHN7450 | HEXFET TRANSISTOR |
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| IRHNA7160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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