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参数资料
| 型号： | IRHN7130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| 中文描述： | 晶体管N沟道（BVdss \u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份证\u003d 14） |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | IRHN7130 |
IRHN7130, IRHN8130 Devices
Pre-Radiation
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Figure 26. – Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
Figure 27. – Maximum Drain Current Vs. Case Temperature.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN8130 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
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| IRHN8230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN7250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHN7150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 34A 3SMD-1 - Rail/Tube |
| IRHN7230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7250SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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