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参数资料
| 型号： | IRHN7130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| 中文描述： | 晶体管N沟道（BVdss \u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份证\u003d 14） |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | IRHN7130 |
IRHN7130, IRHN8130 Devices
Post-Radiation
Figure 5. – Typical Zero Gate Voltage Drain Current
Vs. Total Dose Exposure.
Figure 6. – Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Figure 7. – Typical Transient Response of
Rad Hard HEXFET During 1 x 10
12
Rad (Si)/Sec Exposure.
Figure 8a – Gate Stress of
VGSS Equals 12
Volts During Radiation.
Figure 8b – VDSS Stress
Equals 80% of BVDSS
During Radiation.
Figure 9. – High Dose Rate (Gamma Dot)
Test Circuit
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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