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参数资料
| 型号： | IRHN7230 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| 中文描述： | 晶体管N沟道（BVdss \u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份证\u003d 9.0,9.0） |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 513K |
| 代理商： | IRHN7230 |
Post-Radiation
IRHN7230, IRHN8230 Devices
Figure 5. – Typical Zero Gate Voltage Drain Current
Vs. Total Dose Exposure
Figure 6. – Typical On-State Resistance Vs. Neutron
Fluence Level
Figure 9. – High Dose Rate
(Gamma Dot) Test Circuit
Figure 8a. – Gate
Stress of VGSS Equals
12 Volts During
Radiation
Figure 8b. – VDSS Stress
Equals 80% of BVDSS During
Radiation
Figure 7. – Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During 1 x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
To Order
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN8230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN7250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN9130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P沟道,-100 V, 0.3Ω,抗辐射HEXFET晶体管) |
| IRHN93130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P沟道,-100 V, 0.3Ω,抗辐射HEXFET晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHN7250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7250SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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