- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377522 > IRHN7230 (International Rectifier) TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHN7230 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| 中文描述： | 晶体管N沟道（BVdss \u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份证\u003d 9.0,9.0） |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 513K |
| 代理商： | IRHN7230 |
Pre-Radiation
IRHN7230, IRHN8230 Devices
Figure 25. – Maximum Safe Operating Area
Figure 22. – Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source
Voltage
Figure 23. – Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source
Voltage
Figure 24. – Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
ID = 9.0A
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
J
C
o
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN8230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN7250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN9130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P沟道,-100 V, 0.3Ω,抗辐射HEXFET晶体管) |
| IRHN93130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P沟道,-100 V, 0.3Ω,抗辐射HEXFET晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHN7250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7250SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。