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参数资料
| 型号： | IRHNA3160 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Surface Mount Power MOSFET(表贴型功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 表面贴装功率MOSFET（表贴型功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | IRHNA3160 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHNA7160
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
23A
32A
51A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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