- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377522 > IRHNA7Z60 (International Rectifier) 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗辐射N沟道HEXFET晶体管) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHNA7Z60 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
| 中文描述： | 30Volt，0.009Ω，RAD数据通信硬的HEXFET（30V的，0.009Ω，抗辐射?沟道的HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | IRHNA7Z60 |
IRHNA7Z60, IRHNA8Z60 Devices
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
￡ 1
μs
Duty Factor
￡ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
40
80
120
160
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA8Z60 | 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
| IRHNA9260 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
| IRHNA93260 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
| IRHNB7260 | 200Volt,0.070Ω, N-Channel MEGA RAD HARD HEXFET(200V,0.070Ω,MEGA 抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
| IRHNB8260 | 200Volt,0.070Ω, N-Channel MEGA RAD HARD HEXFET(200V,0.070Ω,MEGA 抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHNA7Z60SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA7Z60SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA8064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA8160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA8260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。