- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360962 > IRHNJ3230 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHNJ3230 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 9.4AI（四）|贴片 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHNJ3230 |
IRHNJ7230
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ4230 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
| IRHNJ57133SE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 130V V(BR)DSS | 20A I(D) | SMT |
| IRHNJ57230SE | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRHNJ593230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | SMT |
| IRHNJ594130 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SMT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHNJ3230SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ3230SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ3330SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ4130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ4130SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。