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参数资料
| 型号： | IRL1104S |
| 英文描述： | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | 单40V的N沟道HEXFET功率MOSFET的一项D2 - PAK封装 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | IRL1104S |
IRL1104S/L
www.irf.com
3
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
-60 -40 -20
0
20
40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
104A
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.7V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
7.0V
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.7V
1
10
100
1000
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 175 C
°
25
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