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参数资料
| 型号： | IRL1104S |
| 英文描述： | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | 单40V的N沟道HEXFET功率MOSFET的一项D2 - PAK封装 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | IRL1104S |
IRL1104S/L
4
www.irf.com
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
62 A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 175 C
T = 25 C
°
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