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参数资料
| 型号： | IRL2703STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL2703S
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
1
2.5V
20 μ s PU LSE W ID TH
1
2.5V
2 0μ s PU L SE W ID TH
0.1
0.1
1
T J = 2 5°C
10
A
100
0.1
0.1
1
T J = 1 75 °C
10
A
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-S ource Voltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 °C
T J = 1 7 5 °C
2.0
1.5
I D = 24 A
10
1.0
1
0.5
V DS = 1 5 V
0.1
2
3
4
5
6
2 0 μ s P U L S E W ID T H
7 8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160 180
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3102STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
| IRL3102STRR | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
| IRL3103D1SPBF | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 |
| IRL3103D1STRLP | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
| IRL3103D1STRL | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL2910LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 55A, 26 MOHM, 93.3 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 55A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N |
| IRL2910LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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