参数资料
型号: IRL2703STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V
功率 - 最大: 45W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL2703S
R G
V DS
L
D.U.T.
+
160
120
TO P
B OTTO M
I D
5.7 A
9 .9A
14A
- DD
V
5.0 V
I AS
t p
0.01 ?
80
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
40
V (BR)DSS
0
V D D = 1 5V
25 50
75
100
125
150
A
175
V DS
t p
V DD
Starting T J , Junction T emperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
4.5 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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