参数资料
型号: IRL2703STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V
功率 - 最大: 45W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL2703S
Package Outline
D 2 Pak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
1 .4 0 (.0 5 5)
M A X.
1 0 .5 4 (.4 15 )
1 0 .2 9 (.4 05 )
-A -
4
4.6 9 (.1 85 )
4.2 0 (.1 65 )
-B -
1 .3 2 (.0 5 2)
1 .2 2 (.0 4 8)
1 0 .1 6 (.40 0 )
R E F.
4
6.4 7 (.2 55 )
1 .7 8 (.0 7 0)
1 .2 7 (.0 5 0)
1
2
3
1 5 .4 9 (.61 0 )
1 4 .7 3 (.58 0 )
2.7 9 ( .1 10 )
2.2 9 ( .0 90 )
6.1 8 (.2 43 )
5 .2 8 (.2 0 8)
4 .7 8 (.1 8 8)
2.6 1 (.1 0 3)
2.3 2 (.0 9 1)
3X
1.4 0 (.0 55 )
1.1 4 (.0 45 )
2X
0 .93 (.03 7 )
0 .69 (.02 7 )
0.5 5 (.0 22 )
0.4 6 (.0 18 )
1.39 (.0 55 )
1.14 (.0 45 )
8 .8 9 (.35 0 )
R E F.
5 .0 8 ( .20 0)
0 .2 5 ( .0 1 0)
M
A M B
N O TES:
1 DIMEN SIO NS AFTER SO LD ER D IP.
2 DIMEN SIO NIN G & TO LERAN CIN G PER ANSI Y14.5M, 1982
3 CO N TRO LLIN G D IMENSION : IN CH .
4 DIMEN SIO NS AR E SH OW N IN MILLIMETER S (IN CH ES).
5 HEATSIN K & LEAD D IMEN SIO N S D O NO T IN CLU D E BU R RS.
Part Marking Information
D 2 Pak
E XAM PL E : THIS IS A N IR F5 30 S
A
W ITH AS SE MB LY
L OT C OD E 9B 1M
IN TER NA TIO NA L
R EC TIF IER
LO G O
A SS EMB LY
LOT C OD E
F 53 0S
92 46
9B 1M
A
PAR T N UM BE R
D ATE C OD E
(YYW W )
Y Y = YE AR
W W = W E EK
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