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参数资料
| 型号： | IRL2910N |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRL2910N |
IRL2910
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 29A
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRL2910S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
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| IRL2910SPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL2910SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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