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参数资料
| 型号： | IRL2910N |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRL2910N |
IRL2910
5.0 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 12A
20A
BOTTOM 29A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
I
AS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL2910S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
| IRL2910SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 55A 3PIN D2PAK - Rail/Tube |
| IRL2910SPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL2910SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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