- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377534 > IRL2910S (International Rectifier) HEXFET POWER MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL2910S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | IRL2910S |
#$%&'
(&!"
(%!&
!"
%!&
%
)*!&
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 29A
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3402 | N Channel HEXFET Power MOSFET(N 沟道HEXFET功率MOS场效应管) |
| IRL3705N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRL3713 | SMPS MOSFET |
| IRL3713L | SMPS MOSFET |
| IRL3713S | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2910SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 55A 3PIN D2PAK - Rail/Tube |
| IRL2910SPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL2910SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRL2910SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 100V 55A D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| IRL2910STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。