参数资料
型号: IRL2910S
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 8/10页
文件大小: 344K
代理商: IRL2910S
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
DATE CODE
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
LOT CODE
PART NUMBER
F530S
For GB Production
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PDF描述
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参数描述
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IRL2910SPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2910SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRL2910SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 100V 55A D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
IRL2910STRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件