参数资料
型号: IRL2910S
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 5/10页
文件大小: 344K
代理商: IRL2910S
#$!"
%*&
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
%*&+,
.
≤ 1
≤ 0.1 %
!
.
,N)
.
+
-
.
#$-,./0
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + T
相关PDF资料
PDF描述
IRL3402 N Channel HEXFET Power MOSFET(N 沟道HEXFET功率MOS场效应管)
IRL3705N N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管)
IRL3713 SMPS MOSFET
IRL3713L SMPS MOSFET
IRL3713S SMPS MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL2910SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 55A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRL2910SPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2910SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRL2910SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 100V 55A D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
IRL2910STRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件