- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360968 > IRL3202S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL3202S |
| 英文描述： | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | 20V的单个N -沟道HEXFET功率MOSFET的一项D2 - PAK封装 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | IRL3202S |
IRL3202S
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.0V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
4.5V
48A
1
10
100
1000
2
3
4
5
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
VGS
2.50V
1.75V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.0V
BOTTOM
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3202S | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRL3303L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-262AA |
| IRL3402S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA |
| IRL3402S | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRL3502S | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3202SPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3202STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3215 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3215HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL3215PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 150V 12A TO220AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。