型号: | IRL3202S |
英文描述: | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
中文描述: | 20V的单个N -沟道HEXFET功率MOSFET的一项D2 - PAK封装 |
文件页数: | 5/8页 |
文件大小: | 125K |
代理商: | IRL3202S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRL3202S | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
IRL3303L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-262AA |
IRL3402S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA |
IRL3402S | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
IRL3502S | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRL3202SPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
IRL3202STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRL3215 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRL3215HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
IRL3215PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 150V 12A TO220AB |