- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录447 > IRL3302STRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRL3302STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 39A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 23A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3302S
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
D V (BR)DSS / D T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.022
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
V GS = 7.0V, I D = 23A ?
0.020
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
0.70
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
110
41
89
0.023 V GS = 4.5V, I D = 23A ?
W
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 10V, I D = 23A ?
25 V DS = 20V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 10V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 10V
nA
-100 V GS = -10V
31 I D = 23A
5.7 nC V DS = 16V
13 V GS = 4.5V, See Fig. 6 ??
––– V DD = 10V
––– I D = 23A
ns
––– R G = 9.5 W, V GS = 4.5V
––– R D = 2.4 W, ??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5 –––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1300 ––– V GS = 0V
520 ––– pF V DS = 15V
190 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
39
160
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 23A, V GS = 0V ?
––– 62 94 ns T J = 25°C, I F = 23A
Charge ––– 110 160 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.49mH
R G = 25 W , I AS = 23A.
? I SD ￡ 23A, di/dt ￡ 97A/μs, V DD ￡ V (BR)DSS ,
T J ￡ 150°C
? Pulse width ￡ 300μs; duty cycle ￡ 2%.
? Uses IRL3302 data and test conditions
** When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3303STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
| IRL3303STRR | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
| IRL3402STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
| IRL3502STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| IRL3502STRR | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3303 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3303D1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3303D1S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3303D1SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:30V 25.000A D2PAK - Rail/Tube |
| IRL3303D1STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。