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参数资料
| 型号： | IRL3402STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 51A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 91693A
IRL3402S
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology
Surface Mount
Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Fast Switching
G
D
V DSS = 20V
R DS(on) = 0.01 ?
D Pak
Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC
converters in the PC environment. Advanced
processing techniques combined with an optimized
gate oxide design results in a die sized specifically to
offer maximum efficiency at minimum cost.
The D 2 Pak is a surface mount power package capable
of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D 2 Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can
dissipate up to 2.0W in a typical surface mount
application.
Absolute Maximum Ratings
S
2
I D = 85A ?
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V ?
85 ?
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
V GSM
E AS
I AR
E AR
dv/dt
T J
T STG
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V ?
Pulsed Drain Current ??
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
(Start Up Transient, tp = 100μs)
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ??
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
54
340
110
0.91
± 10
14
290
51
11
5.0
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
A
W
W/°C
V
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
???
1.1
R θ JA
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
???
40
°C/W
03/03/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3502STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| IRL3502STRR | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRL3502 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3502_03 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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