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参数资料
| 型号： | IRL3402STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 51A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3402S
D 2 Pak Package Outline
10.54 (.415)
10.29 (.405)
4.69 (.185)
-B-
10.16 (.400)
REF.
1.40 (.055)
MAX.
-A-
2
4.20 (.165)
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
6.18 (.243)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1
3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
3X
1.40 (.055)
1.14 (.045)
5.08 (.200)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.25 (.010)
M
B A M
0.55 (.022)
0.46 (.018)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
8.89 (.350)
REF.
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRIN T
11.43 (.450)
NOTES:
LEAD ASSIGNMENTS
8.89 (.350)
1
DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
1 - GATE
2
3
4
DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
CONTROLLING DIMENSION : INCH.
HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
2 - DRAIN
3 - SOURCE
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
17.78 (.700)
2.54 (.100)
2X
Part Marking Information
D 2 Pak
INTERNATIONAL
A
PART NUMBER
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9246
9B 1M
DATE CODE
(YYWW)
YY = YEAR
WW = WEEK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3502STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| IRL3502STRR | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| IRL3705NSTRR | MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK |
| IRL3714STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| IRL3714ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3402STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3502 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3502_03 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3502HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk |
| IRL3502L | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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