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参数资料
| 型号： | IRL3402STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 51A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3402S
1000
VGS
TOP 7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
1000
VGS
TOP 7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
100
2.25V
100
2.25V
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
T J = 25 ° C
2.0
1.5
I D = 85A
T J = 150 C
100
°
1.0
0.5
10
2
3
4
1
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
5
6
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
10V
V GS = 4.5 V
80 100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3502STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| IRL3502STRR | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| IRL3705NSTRR | MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK |
| IRL3714STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| IRL3714ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3402STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3502 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3502_03 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3502HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk |
| IRL3502L | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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