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参数资料
型号： IRL3302STRR
厂商： International Rectifier
文件页数： 3/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
标准包装： 800
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 39A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 20 毫欧 @ 23A，7V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 31nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1300pF @ 15V
功率 - 最大： 57W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： D2PAK
包装： 带卷 (TR)
IRL3302S
VGS
TOP
10V
8.0V
6.0V
TOP
10V
8.0V
6.0V
1000
VGS
TOP    15V
12V
10V
4.0V
3.0V
8.0V
6.0V
4.0V
2.5V
BOTTOM 3.0V
BOTTOM 2.5V
1000
VGS
TOP    15V
12V
10V
4.0V
3.0V
8.0V
6.0V
4.0V
2.5V
BOTTOM 3.0V
BOTTOM 2.5V
100
2.5V
20μs PULSE WIDTH
100
2.5V
20μs PULSE WIDTH
10
0.1
1
T J = 25 ° C
10
100
10
0.1
1
T J = 150 ° C
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
T J = 25 ° C
2.0
1.5
I D = 39A
T J = 150 C
100
°
1.0
10
0.5
V DS = 15V
1
2
3
4
5
20μs PULSE WIDTH
6 7
8
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 4.5V
80 100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature          ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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IRL3303D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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