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参数资料
| 型号： | IRL5602STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL5602SPbF
100
VGS
TOP -15V
-12V
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.7V
BOTTOM -2.0V
100
VGS
TOP -15V
-12V
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.7V
BOTTOM -2.0V
10
-2.0V
10
-2.0V
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
T J = 175 ° C
3.5
3.0
2.5
I D = -24A
2.0
10
1.5
1.0
0.5
1
2.0
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
3.0 4.0 5.0
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
V GS = -4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL5602STRR | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
| IRL620STRR | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK |
| IRL630STRR | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| IRL640A | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
| IRL640L | MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL5602STRR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL5602STRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL-5-K-D-2 | 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH DPDT DIFF KEY 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH, DPDT, DIFF KEY 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH, DPDT, DIFF KEY; Contact Configuration:DPDT; Switch Operation:Off-On; Angle of Throw:60; Actuator Style:Key; No. of Switch Positions:1; Contact Voltage AC Nom:115V; Contact Voltage DC Nom:24V; Contact Current Max:1A; ;RoHS Compliant: Yes |
| IRL-5-K-S-2 | 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH DPDT SAME KEY 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH, DPDT, SAME KEY 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH, DPDT, SAME KEY; Contact Configuration:DPDT; Switch Operation:Off-On; Angle of Throw:60; Actuator Style:Key; No. of Switch Positions:2; Contact Voltage AC Nom:115V; Contact Voltage DC Nom:24V; Contact Current Max:1A; ;RoHS Compliant: Yes |
| IRL-5-K-S-2-813 | 制造商:Lorlin Electronics Ltd 功能描述: |
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