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参数资料
| 型号： | IRL5602STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL5602S
25
V DS
R D
20
R G
V GS
D.U.T.
V DD
15
-4.5V
10
5
Pulse Width ￡ 1 μs
Duty Factor ￡ 0.1 %
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
0
25
50
75
100
125
150
175
10%
T C , Case Temperature ( C)
°
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.05
90%
V DS
P DM
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRL640L | MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL5602STRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRL-5-K-S-2 | 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH DPDT SAME KEY 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH, DPDT, SAME KEY 制造商:Lorlin 功能描述:KEYSWITCH, DPDT, SAME KEY; Contact Configuration:DPDT; Switch Operation:Off-On; Angle of Throw:60; Actuator Style:Key; No. of Switch Positions:2; Contact Voltage AC Nom:115V; Contact Voltage DC Nom:24V; Contact Current Max:1A; ;RoHS Compliant: Yes |
| IRL-5-K-S-2-813 | 制造商:Lorlin Electronics Ltd 功能描述: |
| IRL-5-K-S-2-850 | 制造商:Lorlin Electronics Ltd 功能描述: |
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