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参数资料
| 型号： | IRLBD59N04E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRLBD59N04E |
IRFLBD59N04E
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
35A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLD014 | POWER MOSFEET |
| IRLD110 | HEXFET POWER MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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