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参数资料
| 型号： | IRLBD59N04E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRLBD59N04E |
IRFLBD59N04E
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Sense Diode Voltage Drop
Vs.Temperature
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
14A
29A
35A
TOP
BOTTOM
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
S
IF = 250uA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLD014 | POWER MOSFEET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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