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参数资料
| 型号： | IRLI2203N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | IRLI2203N |
IRLI2203N
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
2000
4000
6000
8000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
30
Q , Total Gate Charge (nC)
60
90
120
150
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 24V
V = 15V
I = 60A
10
100
1000
0.5
1.0
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T = 25°C
V = 0V
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述 |
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