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参数资料
型号： IRLI2203N
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 5/8页
文件大小： 113K
代理商： IRLI2203N
IRLI2203N
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SIN GLE PU LSE
(T HE R M AL R E SPO N SE )
A
T
P
t2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
DM
thJC
C
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