参数资料
型号: IRLI2203N
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 6/8页
文件大小: 113K
代理商: IRLI2203N
IRLI2203N
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
4.5 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 15V
I
TOP 24A
42A
BOTTOM 60A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
IA S
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIV ER
A
15 V
20V
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