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参数资料
| 型号： | IRLI2203N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 47W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI2203N |
IRLI2203N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.035
––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA ?
?
––– R G = 1.8 ?, V GS = 4.5V
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
1.0
47
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
210
29
54
0.007 V GS = 10V, I D = 37A ?
0.01 V GS = 4.5V, I D = 31A ?
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 60A ?
25 V DS = 30V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 16V
nA
-100 V GS = -16V
110 I D = 60A
31 nC V DS = 24V
57 V GS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 15V
––– I D = 60A
ns
––– R D = 0.25 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
––– 4.5 –––
––– 7.5 –––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
––– 1400 ––– V DS = 25V
––– 690 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
––– 3500 ––– V GS = 0V
pF
––– 12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
61
400
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 37A, V GS = 0V ?
––– 94 140 ns T J = 25°C, I F = 60A
––– 280 410 μC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Specification changes
Rev. #
1
1
Parameters
V GS(th) (Max.)
V GS (Max.)
Old spec.
2.5V
±20
New spec.
No spec.
±16
Comments
Removed V GS(th) Max. Specification
Decrease V GS Max. Specification
Revision Date
11/1/96
11/1/96
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 15V, starting T J = 25°C, L = 220μH
R G = 25 ? , I AS = 60A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 60A, di/dt ≤ 140A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? t=60s, ?=60Hz ? Uses IRL2203N data and test conditions
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