参数资料
型号: IRLI2203N
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫欧 @ 37A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 25V
功率 - 最大: 47W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRLI2203N
IRLI2203N
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
2.5 V
2 .5V
20 μ s PU LSE W ID TH
20 μ s PU LSE W ID TH
1
0.1
1
T J = 2 5°C
10
A
100
1
0.1
1
T J = 1 75°C
10
A
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-Source V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 2 5 °C
T J = 1 75 °C
2.0
1.5
I D = 100 A
1.0
10
0.5
V DS = 1 5 V
1
2.0
3.0
4.0
5.0
2 0 μ s P U L SE W ID TH
6.0 7.0 8.0 9.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10V
A
100 120 140 160 180
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Tem perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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