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参数资料
| 型号： | IRLI2505 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 63W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI2505 |
IRLI2505
10000
8000
V GS
C is s
C rss
C oss
= 0 V, f = 1M H z
= C gs + C gd , C ds SH OR TE D
= C gd
= C d s + C gd
15
12
I D = 54A
V DS = 44 V
V DS = 28 V
C i ss
6000
9
4000
2000
C o ss
C rs s
6
3
FO R TEST CIR CU IT
0
1
10
100
A
0
0
40
80
SEE FIG UR E 13
120 160
A
200
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , T otal Gate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R DS (on)
1 0μs
100
100 μs
100
T J = 175 °C
T J = 25 °C
10
T C = 25 °C
1m s
10m s
10
V G S = 0 V
A
1
T J = 17 5°C
S ing le Pulse
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
1
10
100
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLI2910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack |
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| IRLI3103 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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