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参数资料
| 型号： | IRLI2505 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 63W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI2505 |
IRLI2505
V DS
L
D.U.T.
1200
1000
TO P
BO TTOM
I D
2 2A
38A
54 A
R G
+
- DD
V
800
5.0 V
I AS
t p
0.01 ?
600
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
400
200
V (BR)DSS
0
V D D = 2 5V
A
t p
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction T emperature (°C)
175
V DD
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
V DS
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
5.0 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI2505PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 58A TO-220FP 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 58A TO-220FP, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D 制造商:International Rectifier 功能描述:58 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRLI2910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack |
| IRLI2910PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI3103 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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