参数资料
型号: IRLI2910
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 26 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 25V
功率 - 最大: 63W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRLI2910
IRLI2910
6000
V GS
C iss
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
15
I D = 29A
V D S = 80V
5000
C rss
C is s C oss
=
=
C gd
C ds +C gd
12
V D S = 50V
V D S = 20V
4000
9
3000
2000
C oss
C rs s
6
3
1000
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
40
80
S E E FIG U R E 1 3
120 160
A
200
1000
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
100
T J = 175°C
100
10μ s
100μ s
T J = 25°C
10
1m s
10m s
V G S = 0V
T J
10
0.4
0.8
1.2
1.6
A
2.0
1
1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
10
100
A
1000
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating
Area
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