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参数资料
| 型号： | IRLI2910 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 63W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI2910 |
IRLI2910
35
30
25
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
20
15
10
5
5.0V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
P DM
0.1
0.02
t 1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI3803 | MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP |
| IRLI520N | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP |
| IRLI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
| IRLI540N | MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP |
| IRLIZ34N | MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI2910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack |
| IRLI2910PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI3103 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IRLI3215PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRLI3303 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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