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参数资料
| 型号： | IRLI540N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 44 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 54W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI540N |
IRLI540N
C iss gs gd ds
3000
V G S = 0V, f = 1MHz
= C + C , C SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
15
12
I D = 18A
V D S = 80V
V D S = 50V
V D S = 20V
C iss
2000
9
6
1000
C oss
C rss
3
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80
100
A
1000
100
10
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175°C
T J = 25°C
1000
100
10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R D S ( o n )
10μs
100μs
1ms
V G S = 0V
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
100
A
1000
V S D , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIZ34N | MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP |
| IRLIZ44G | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP |
| IRLL014NTR | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| IRLL2703TR | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| IRLL2705TR | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI540NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI610A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLI610ATU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI620 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) |
| IRLI620A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
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