参数资料
型号: IRLI540N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 44 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 54W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRLI540N
IRLI540N
800
TOP
I D
7.3A
13A
1 5V
600
BOTTOM
18A
VD S
L
D R IV E R
400
RG
D .U .T
IA S
+
- VD D
A
10V
tp
0.0 1 ?
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
A
25
50
75
100
125
150
175
tp
V (B R )D SS
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
5.0 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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参数描述
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