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参数资料
| 型号： | IRLI620 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.80ohm，身份证\u003d 4.0a上） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | IRLI620 |
IRLI620G
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
5.0 V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
A
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + TC
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
25
50
T , Case Temperature (°C)
75
100
125
150
I
D
A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLI620GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
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