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参数资料
| 型号： | IRLI620 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.80ohm，身份证\u003d 4.0a上） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | IRLI620 |
IRLI620G
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLI620G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI620GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
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