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参数资料
| 型号： | IRLI630 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | ADVANCED POWER MOSFET |
| 中文描述： | 先进的功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IRLI630 |
IRLW/I630A
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
5V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI630A | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLWI630A | Advanced Power MOSFET |
| IRLW630A | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLM110A | H-Bridge and Half Bridge Driver IC; Package: PG-DSO-20; Operating Range: 7.5 - 60.0 V; I<sub>Q </sub>: 0.6 mA; turn on/off current: 0.85/ 0.85 A; D.C.-range: 0...96/ 100%; numbers of integrated OPAMPs for load current measurement: 0.0; |
| IRLM120A | Advanced Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI630A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI630ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI630G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI630GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI640 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) |
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