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参数资料
| 型号： | IRLIB4343PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| 中文描述： | 数字音频MOSFET的 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IRLIB4343PBF |
2
www.irf.com
S
D
G
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
55
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
8.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
15
42
57
–––
-4.4
–––
–––
–––
–––
–––
28
3.5
9.5
15
5.7
19
23
5.3
740
150
59
250
4.5
Max. Units
–––
–––
50
65
–––
–––
2.0
25
100
-100
–––
42
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Effective Output Capacitance
Internal Drain Inductance
nA
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
godr
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
L
D
S
V
GS
= 10V
I
D
= 19A
See Fig. 6 and 19
V
DD
= 28V, V
GS
= 10V
I
D
= 19A
R
G
= 2.5
ns
pF
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
19
I
S
@ T
C
= 25°C Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
A
–––
–––
110
–––
–––
–––
–––
52
100
1.2
78
150
V
ns
nC
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 25V, I
D
= 19A
V
DS
= 44V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
S
= 19A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 19A
di/dt = 100A/μs
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz, See Fig.5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to -44V
Conditions
p-n junction diode.
Max.
130
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.7A
showing the
integral reverse
See Fig. 14, 15, 17a, 17b
Typ.
–––
MOSFET symbol
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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