- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384507 > IRLIB4343PBF (International Rectifier) DIGITAL AUDIO MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLIB4343PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| 中文描述： | 数字音频MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IRLIB4343PBF |
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.3V
VGS
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
2.3V
VGS
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
TOP
BOTTOM
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 19A
VGS = 10V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10
20
30
40
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
ID= 19A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 19
0
2
4
6
8
10
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
ID
(
)
VDS = 30V
≤
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIB9343 | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| IRLIZ14G | POWER MOSFET |
| IRLIZ24N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLIZ34G | POWER MOSFET |
| IRLIZ34N | Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLIB9343 | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLIB9343PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 105mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ14A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA |
| IRLIZ14G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ14G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。