参数资料
型号: IRLL2705
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 3/9页
文件大小: 160K
代理商: IRLL2705
IRLL2705
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE W IDTH
T = 25°C
A
VDS
3.0V
VGS
D
I
1
10
100
0.1
1
10
100
A
D
I
20μs PULSE W IDTH
T = 150°C
3.0V
VGS
10V
5.5V
4.0V
VDS
1
10
100
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 25V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 3.8A
D
相关PDF资料
PDF描述
IRLL3303 Rotational Speed Sensors; Package: PG-SSO-2; Application: -; Technology: -; Direction detection (PWM): -; Vibration Suppression: -; Type of hysteresis: -
IRLML2402 HEXFET Power MOSFET
IRLML2402TR HEXFET POWER MOSFET
IRLML6402 HEXFET Power MOSFET
IRLML6402TR HEXFET Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRLL2705HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube
IRLL2705PBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL2705TR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLL2705TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Tape and Reel
IRLL2705TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube