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参数资料
| 型号： | IRLL2705 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | IRLL2705 |
IRLL2705
www.irf.com
9
SOT-223 Outline
Tape & Reel Information
4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
2.05 (.080)
1.95 (.077)
12.10 (.475)
11.90 (.469)
7.10 (.279)
6.90 (.272)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
TYP.
7.55 (.297)
7.45 (.294)
7.60 (.299)
7.40 (.292)
2.30 (.090)
2.10 (.083)
16.30 (.641)
15.70 (.619)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
FEED D IRECTION
TR
13.20 (.519)
12.80 (.504)
50.00 (1.969)
MIN .
330.00
(13.000)
MAX.
NOTES :
1. C ON TR OLLING DIMEN SION: MILLIMETER.
2. OUTLIN E CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
3. EAC H O330.00 (13.00) R EEL CONTAINS 2,500 DEVICES.
3
NOTES :
1. OUTLINE COMFOR MS TO EIA-418-1.
2. CONTROLLING DIMEN SION: MILLIMETER..
3. DIMENSION MEASUR ED @ HUB.
4. IN CLUDES FLANGE D ISTOR TION @ OUTER ED GE.
15.40 (.607)
11.90 (.469)
18.40 (.724)
MAX.
4
14.40 (.566)
12.40 (.488)
4
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 1/99
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLL2705HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube |
| IRLL2705PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLL2705TR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLL2705TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Tape and Reel |
| IRLL2705TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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