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参数资料
| 型号： | IRLL2705 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | IRLL2705 |
IRLL2705
www.irf.com
5
+
-
V
DS
10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
10V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
1000
10000
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PU LSE
(TH ER MAL RE SPONS E )
A
T
t
P
t
2
1
t
D M
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + TA
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| IRLL2705TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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